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PDTA114TEF,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTA114TEF,115
説明: TRANS PREBIAS PNP 150MW SC89
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 150mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-89, SOT-490
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
ベース部材番号 PDTA114
抵抗基地(R1) 10 kOhms
サプライヤー装置パッケージ SC-89
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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