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PDTC115TK,115

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PDTC115TK,115
説明:	TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Obsolete
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	PDTC115
抵抗基地(R1)	100 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	SMT3; MPAK
vイス(Max) @ Ib、Ic	150mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 1mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V