Image is for reference only , details as Specifications

PDTC123JE,115

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PDTC123JE,115
説明:	TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Obsolete
-マックス	150mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SC-75, SOT-416
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	SC-75
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	100mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	100 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V