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PDTD123ES,126
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | PDTD123ES,126 |
| 説明: | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Box (TB) |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 500mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| ベース部材番号 | PDTD123 |
| 抵抗基地(R1) | 2.2 kOhms |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-92-3 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 2.2 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 500mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 500nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 40 @ 50mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 98 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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