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PH5525L,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PH5525L,115
説明: MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 62.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LFPAK56, Power-SO8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2150pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 81.7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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