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PHB110NQ08LT,118

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	PHB110NQ08LT,118
説明:	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	8.5mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス)	230W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	127.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	75V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	6631pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	75A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V