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PHK4NQ20T,518

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PHK4NQ20T,518
説明: MOSFET N-CH 200V 4A SOT96-1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 130mOhm @ 4A, 10V
電力放蕩(マックス) 6.25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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