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PHN210,118
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | PHN210,118 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 2W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| 作動温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 100mOhm @ 2.2A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SO |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | - |
在庫が 83 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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