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PHT8N06LT,135

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	PHT8N06LT,135
説明:	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±13V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	80mOhm @ 5A, 5V
電力放蕩(マックス)	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	SOT-223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11.2nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V