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PHT8N06LT,135

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PHT8N06LT,135
説明: MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±13V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 80mOhm @ 5A, 5V
電力放蕩(マックス) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.5A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V

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