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PMDPB56XN,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: PMDPB56XN,115
説明: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 510mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 73mOhm @ 3.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ DFN2020-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 170pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.1A

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