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PMGD8000LN,115
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | PMGD8000LN,115 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchMOS™ |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8Ohm @ 10mA, 4V |
| サプライヤー装置パッケージ | 6-TSSOP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 125mA |
在庫が 78 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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