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PMT200EN,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PMT200EN,115
説明: MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 235mOhm @ 1.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 800mW (Ta), 8.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-223
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 80V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.8A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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