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PMWD19UN,518

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: PMWD19UN,518
説明: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchMOS™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 2.3W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 8-TSSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1478pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.6A

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