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PSMN5R9-30YL,115

メーカー: NXP USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PSMN5R9-30YL,115
説明: MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー NXP USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.1mOhm @ 20A, 10V
電力放蕩(マックス) 63W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ LFPAK56, Power-SO8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 21.3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1226pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 78A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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