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PSMN9R0-30LL,115

メーカー:	NXP USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	PSMN9R0-30LL,115
説明:	MOSFET N-CH 30V QFN3333
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	NXP USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	9mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	50W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-DFN3333 (3.3x3.3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1193pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	21A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V