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BC847C/DG/B3,215
| メーカー: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BC847C/DG/B3,215 |
| 説明: | TRANS GEN PURPOSE TO-236AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 250mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 100MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-236AB |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 15nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 45V |
在庫が 90 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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