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BCM857QASZ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: BCM857QASZ
説明: BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 350mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual) Matched Pair
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 175MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1010B-6
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 5mA, 100mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 15nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 2mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 45V

在庫が 3900 pcs

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