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PBRN113ET,215

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PBRN113ET,215
説明:	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Cut Tape (CT)
部地位	Active
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	PBRN113
抵抗基地(R1)	1 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	TO-236AB
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	1 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
現在-コレクター・Ic (Max)	600mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	180 @ 300mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	40V