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PBSS4230PANP,115

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: PBSS4230PANP,115
説明: TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 510mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ NPN, PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 120MHz
サプライヤー装置パッケージ 6-HUSON-EP (2x2)
vイス(Max) @ Ib、Ic 290mV @ 200mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 1A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 30V

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