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PBSS4260QAZ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: PBSS4260QAZ
説明: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Active
-マックス 325mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 180MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1010D-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 190mV @ 50mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 2A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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