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PBSS5112PAP,115

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
データシート: PBSS5112PAP,115
説明: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 510mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ 2 PNP (Dual)
ベース部材番号 PBSS5112
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 100MHz
サプライヤー装置パッケージ 6-HUSON-EP (2x2)
vイス(Max) @ Ib、Ic 480mV @ 100mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 50 @ 500mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 120V

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