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PDTA113EMB,315

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PDTA113EMB,315
説明:	TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XFDFN
トランジスタタイプ	PNP - Pre-Biased
ベース部材番号	PDTA113
抵抗基地(R1)	1 kOhms
周波数-遷移	180MHz
サプライヤー装置パッケージ	DFN1006B-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	1 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	150mV @ 1.5mA, 30mA
現在-コレクター・Ic (Max)	100mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	30 @ 40mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V