PDTA114YQAZ
メーカー: | Nexperia USA Inc. |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
データシート: | PDTA114YQAZ |
説明: | TRANS PREBIAS PNP 3DFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Nexperia USA Inc. |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | Tape & Reel (TR) |
部地位 | Active |
-マックス | 280mW |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 3-XDFN Exposed Pad |
トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
抵抗基地(R1) | 10 kOhms |
周波数-遷移 | 180MHz |
サプライヤー装置パッケージ | DFN1010D-3 |
抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 47 kOhms |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 5mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 93 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.04 | $0.04 | $0.04 |
最小: 1