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PDTA114YQAZ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTA114YQAZ
説明: TRANS PREBIAS PNP 3DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 280mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 180MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1010D-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 47 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 100mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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