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PDTB114ETVL

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTB114ETVL
説明: TRANS PREBIAS PNP 0.46W
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 320mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ PNP - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 10 kOhms
周波数-遷移 140MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-236AB
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 70 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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