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PDTC114ET/DG/B2,21
| メーカー: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| データシート: | PDTC114ET/DG/B2,21 |
| 説明: | TRANS RET TO-236AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 250mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| 抵抗基地(R1) | 10 kOhms |
| 周波数-遷移 | 230MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-236AB |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10 kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
在庫が 89 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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