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PDTC115EMB,315

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTC115EMB,315
説明: TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 250mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XFDFN
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
ベース部材番号 PDTC115
抵抗基地(R1) 100 kOhms
周波数-遷移 230MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1006B-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 100 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 20mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 89 pcs

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