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PDTD123EQAZ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート: PDTD123EQAZ
説明: TRANS PREBIAS NPN 3DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 325mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-XDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
抵抗基地(R1) 2.2 kOhms
周波数-遷移 210MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1010D-3
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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