Image is for reference only , details as Specifications

PDTD123ET,215

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
データシート:	PDTD123ET,215
説明:	TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
シリーズ	-
包装	Digi-Reel®
部地位	Active
-マックス	250mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ	NPN - Pre-Biased
ベース部材番号	PDTD123
抵抗基地(R1)	2.2 kOhms
サプライヤー装置パッケージ	TO-236AB
抵抗器−送信機基地(R2−R2)	2.2 kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max)	500mA
トラッキング・キュートフ(マックス)	500nA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	40 @ 50mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	50V