Image is for reference only , details as Specifications

PHD101NQ03LT,118

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	PHD101NQ03LT,118
説明:	MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス)	166W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DPAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	75A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	5V, 10V