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PMDPB30XN,115

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: PMDPB30XN,115
説明: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 490mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 40mOhm @ 3A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 6-HUSON-EP (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 21.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 660pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A

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