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PMPB215ENEAX

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PMPB215ENEAX
説明: MOSFET N-CH 80V 1.9A SOT1220
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Automotive, AEC-Q101
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 230mOhm @ 1.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ DFN2020MD-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 215pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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