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PMXB360ENEAZ

メーカー:	Nexperia USA Inc.
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	PMXB360ENEAZ
説明:	MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Nexperia USA Inc.
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	3-XDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	450mOhm @ 1.1A, 10V
電力放蕩(マックス)	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	DFN1010D-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V