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PQMB11Z

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: PQMB11Z
説明: TRANS PNP/PNP RET 6DFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ Automotive, AEC-Q101
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 230mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFDFN Exposed Pad
トランジスタタイプ 2 PNP Pre-Biased (Dual)
抵抗基地(R1) 10kOhms
周波数-遷移 180MHz
サプライヤー装置パッケージ DFN1010B-6
抵抗器−送信機基地(R2−R2) 10kOhms
vイス(Max) @ Ib、Ic 150mV @ 500µA, 10mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 5mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 4975 pcs

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