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PRMD3Z
| メーカー: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| データシート: | PRMD3Z |
| 説明: | PRMD3/SOT1268/DFN1412-6 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Nexperia USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 480mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| トランジスタタイプ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 抵抗基地(R1) | 10kOhms |
| 周波数-遷移 | 230MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | DFN1412-6 |
| 抵抗器−送信機基地(R2−R2) | 10kOhms |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 100mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
