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PSMN1R1-30EL,127

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PSMN1R1-30EL,127
説明: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 338W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 243nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 14850pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 120A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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