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PSMN6R3-120ESQ

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: PSMN6R3-120ESQ
説明: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 6.7mOhm @ 25A, 10V
電力放蕩(マックス) 405W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I2PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 207.1nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 120V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 11384pF @ 60V
現在25%で安全連続(id) @°c 70A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 450 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.41 $2.36 $2.31
最小: 1

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