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PUMD6,135

メーカー: Nexperia USA Inc.
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
データシート: PUMD6,135
説明: TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Nexperia USA Inc.
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
トランジスタタイプ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ベース部材番号 P*MD6
抵抗基地(R1) 4.7kOhms
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ 6-TSSOP
抵抗器−送信機基地(R2−R2) -
vイス(Max) @ Ib、Ic 100mV @ 250µA, 5mA
現在-コレクター・Ic (Max) 100mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 200 @ 1A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

在庫が 95 pcs

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