Image is for reference only , details as Specifications
2N2906
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2N2906 |
| 説明: | PNP SS GP AMP MED PWR TRANS. |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 400mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| トランジスタタイプ | PNP |
| ベース部材番号 | 2N2906 |
| 作動温度 | - |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-18 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 600mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | - |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 40V |