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2N5551RLRA

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2N5551RLRA
説明: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 625mW
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 2N5551
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 300MHz
サプライヤー装置パッケージ TO-92-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 200mV @ 5mA, 50mA
現在-コレクター・Ic (Max) 600mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 50nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 80 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 160V

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