2N5551TF
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | 2N5551TF |
説明: | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Cut Tape (CT) |
部地位 | Active |
-マックス | 625mW |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
トランジスタタイプ | NPN |
ベース部材番号 | 2N5551 |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
周波数-遷移 | 100MHz |
サプライヤー装置パッケージ | TO-92-3 |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
現在-コレクター・Ic (Max) | 600mA |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 50nA (ICBO) |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 80 @ 10mA, 5V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 160V |
在庫が 5396 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.28 | $0.27 | $0.27 |
最小: 1