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2N5830
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2N5830 |
| 説明: | TRANS NPN 100V 0.2A TO-92 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 625mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| トランジスタタイプ | NPN |
| ベース部材番号 | 2N5830 |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-92-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 200mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 50nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
