画像は参考までに、仕様書を参照してください
2N6052G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2N6052G |
| 説明: | TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tray |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-204AA, TO-3 |
| トランジスタタイプ | PNP - Darlington |
| ベース部材番号 | 2N6052 |
| 作動温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | - |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-204 (TO-3) |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 3V @ 120mA, 12A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 12A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 750 @ 6A, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
