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2SB1122T-TD-E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SB1122T-TD-E
説明: TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-243AA
トランジスタタイプ PNP
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ PCP
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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