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2SB1215S-E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SB1215S-E
説明: TRANS PNP 100V 3A TP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 1W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
トランジスタタイプ PNP
ベース部材番号 2SB1215
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 130MHz
サプライヤー装置パッケージ TP
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 150mA, 1.5A
現在-コレクター・Ic (Max) 3A
トラッキング・キュートフ(マックス) 1µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 140 @ 500mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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