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2SB817C-1E
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2SB817C-1E |
| 説明: | TRANS PNP 140V 12A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Last Time Buy |
| -マックス | 120W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 10MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3P-3L |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 2V @ 500mA, 5A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 12A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 1A, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 140V |
在庫が 59 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.84 | $2.78 | $2.73 |
最小: 1
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