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2SC3646S-P-TD-E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SC3646S-P-TD-E
説明: TRANS NPN 100V 1A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Tape & Reel (TR)
部地位 Active
-マックス 500mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-243AA
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -
周波数-遷移 120MHz
サプライヤー装置パッケージ PCP
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 40mA, 400mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 140 @ 100mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

在庫が 56 pcs

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