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2SC3646S-P-TD-E

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	2SC3646S-P-TD-E
説明:	TRANS NPN 100V 1A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	-
包装	Tape & Reel (TR)
部地位	Active
-マックス	500mW
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-243AA
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	-
周波数-遷移	120MHz
サプライヤー装置パッケージ	PCP
vイス(Max) @ Ib、Ic	400mV @ 40mA, 400mA
現在-コレクター・Ic (Max)	1A
トラッキング・キュートフ(マックス)	100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	140 @ 100mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	100V