画像は参考までに、仕様書を参照してください
2SD1060R-1E
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2SD1060R-1E |
| 説明: | TRANS NPN 50V 5A |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1.75W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 30MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 5A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 100 @ 1A, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 50V |
