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2SD1207T-AE

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: 2SD1207T-AE
説明: TRANS NPN 50V 2A 3MP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Cut Tape (CT)
部地位 Obsolete
-マックス 1W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 150MHz
サプライヤー装置パッケージ 3-MP
vイス(Max) @ Ib、Ic 400mV @ 50mA, 1A
現在-コレクター・Ic (Max) 2A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 100mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 50V

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