画像は参考までに、仕様書を参照してください
2SD1816S-E
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 2SD1816S-E |
| 説明: | TRANS NPN 100V 4A TP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| トランジスタタイプ | NPN |
| ベース部材番号 | 2SD1816 |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 180MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TP |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 400mV @ 200mA, 2A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 4A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1µA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 70 @ 500mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 100V |
在庫が 900 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.92 | $0.90 | $0.88 |
最小: 1
要求引用
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