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2SK3666-3-TB-E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - JFETs
データシート: 2SK3666-3-TB-E
説明: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - JFETs
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ベース部材番号 2SK3666
抵抗- rds () 200 Ohms
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ 3-CP
ドレイン(Id) - Max 10mA
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
-お腹空いてない 180mV @ 1µA
電流-ドレイン(Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V

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